logo

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Nanya (NT8GC64B8HB0NS-DI)Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 8GB 1600 MHz Nanya (NT8GC64B8HB0NS-DI)

Код: Код: 744741
Ціну уточнюйте при замовленніЦену уточняйте при заказе
Товару немає на складі.Товара нет на складе.
Доступність і ціну уточнюйте, провівши замовлення через кошикДоступность и цену уточняйте, проведя заказ через корзину
(ціна в кошику не актуальна)(цена в корзине не актуальна)
Додати в кошик для уточнення можливості замовленняДобавить в корзину для уточнения возможности заказа
Офіційна гарантіяОфициальная гарантия

Офіційна продукція з гарантією виробника — 12 міс. на цей товар.

ОтриманняПолучение
  • Самовивіз — Кривий Ріг, пр. Металургів, 20
  • Кур'єр по місту — від 100 грн
  • По Україні — Новою Поштою
ОплатаОплата
  • При отриманні
  • Безготівковий — реквізити у менеджерів
Детальніше про доставку та оплатуПодробнее о доставке и оплате

Об'єм однієї планки, ГБ — 8, Призначення — для ноутбуків, Форм-фактор пам'яті — 204-pin SODIMM, Робоча напруга, В — 1.5, Ефективна частота, МГц — 1600, Буферизація — Unbuffered, Кількість планок — 1, Загальний об'єм, ГБ — 8, Тип пам'яті — DDR3, Таймінг пам'яті — CL11, Формула таймінгів — CL11-11-11-28, Ранг пам'яті — 2Rx8

Объем одной планки, ГБ - 8, Назначение - для ноутбуков, Форм-фактор памяти - 204-pin SODIMM, Рабочее напряжение, В - 1.5, Эффективная частота, МГц - 1600, Буферизация - Unbuffered, Количество планок - 1, Общий объем, ГБ - 8, Тип памяти - DDR3, Тайминг памяти - CL11, Формула таймингов - CL11-11-11-28, Ранг памяти - 2Rx8

Основні характеристики
Об'єм однієї планки, ГБ 8
Призначення для ноутбуків
Форм-фактор пам'яті 204-pin SODIMM
Робоча напруга, В 1.5
Ефективна частота, МГц 1600
Буферизація Unbuffered
Кількість планок 1
Загальний об'єм, ГБ 8
Тип пам'яті DDR3
Таймінг пам'яті CL11
Формула таймінгів CL11-11-11-28
Ранг пам'яті 2Rx8
Радіатори на планках немає
Пропускна здатність, МБ/с 12800
Перевірка і корекція помилок (ECC) non-ECC

Основные характеристики
Объем одной планки, ГБ 8
Назначение для ноутбуков
Форм-фактор памяти 204-pin SODIMM
Рабочее напряжение, В 1.5
Эффективная частота, МГц 1600
Буферизация Unbuffered
Количество планок 1
Общий объем, ГБ 8
Тип памяти DDR3
Тайминг памяти CL11
Формула таймингов CL11-11-11-28
Ранг памяти 2Rx8
Радиаторы на планках нет
Пропускная способность, МБ/с 12800
Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
Увага! Комплектація, зовнішній вигляд і характеристики товару можуть бути змінені виробником без попереднього повідомлення.Внимание! Комплектация, внешний вид и характеристики товара могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.
1 / 1