logo

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR5 8GB 5600 MHz Samsung (M425R1GB4BB0-CWM)Модуль для ноутбука SoDIMM DDR5 8GB 5600 MHz Samsung (M425R1GB4BB0-CWM)

Код: Код: 788829
3213
Є в наявностіЕсть в наличии
На складі · 1-3 дніНа складе · 1-3 дня
КупитиКупить

Купити в 1 клікКупить в 1 клик

Лишіть телефон — менеджер передзвонить, підтвердить і оформить замовлення. Без реєстрації.Оставьте телефон — менеджер перезвонит, подтвердит и оформит заказ. Без регистрации.

+380
Без реєстрації · достатньо телефонуБез регистрации · достаточно телефона

Замовлення прийнято!Заказ принят!

Дякуємо! Менеджер зателефонує вам найближчим часом, щоб підтвердити замовлення й узгодити доставку та оплату.Спасибо! Менеджер позвонит вам в ближайшее время, чтобы подтвердить заказ и согласовать доставку и оплату.

Самовивіз у Кривому Розі
БЕЗКОШТОВНО

Офіційна гарантіяОфициальная гарантия

Офіційна продукція з гарантією виробника — 12 міс. на цей товар.

ОтриманняПолучение
  • Самовивіз — Кривий Ріг, пр. Металургів, 20
  • Кур'єр по місту — від 100 грн
  • По Україні — Новою Поштою
ОплатаОплата
  • При отриманні
  • Безготівковий — реквізити у менеджерів
Детальніше про доставку та оплатуПодробнее о доставке и оплате

Об'єм однієї планки, ГБ — 8, Призначення — для ноутбуків, Форм-фактор пам'яті — SO-DIMM, Робоча напруга, В — 1.1, Ефективна частота, МГц — 5600, Буферизація — Unbuffered, Кількість планок — 1, Загальний об'єм, ГБ — 8, Тип пам'яті — DDR5, DDR5 SDRAM, Таймінг пам'яті — CL46, Формула таймінгів — 46 — 45 — 45, Ранг пам'яті — 1Rx16, Радіатори на планках — немає

Объем одной планки, ГБ – 8, Назначение – для ноутбуков, Форм-фактор памяти – SO-DIMM, Рабочее напряжение, В – 1.1, Эффективная частота, МГц – 5600, Буферизация – Unbuffered, Количество планок – 1, Общий объем, ГБ – D8, ГБ – 8, Тайминг памяти – CL46, Формула таймингов – 46 – 45 – 45, Ранг памяти – 1Rx16, Радиаторы на планках – нет

Основні характеристики
Об'єм однієї планки, ГБ 8
Призначення для ноутбуків
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Робоча напруга, В 1.1
Ефективна частота, МГц 5600
Буферизація Unbuffered
Кількість планок 1
Загальний об'єм, ГБ 8
Тип пам'яті DDR5, DDR5 SDRAM
Таймінг пам'яті CL46
Формула таймінгів 46 — 45 — 45
Ранг пам'яті 1Rx16
Радіатори на планках немає
Пропускна здатність, МБ/с 44800
Перевірка і корекція помилок (ECC) on-die ECC, non-ECC

Основные характеристики
Объем одной планки 8 ГБ
Общий объем 8 ГБ
Тип памяти DDR5, DDR5 SDRAM
Форм-фактор SO-DIMM
Назначение Для ноутбуков
Эффективная частота 5600 МГц
Пропускная способность 44800 МБ/с
Тайминги (CL) CL46
Формула таймингов 46 - 45 - 45
Ранг памяти 1Rx16
Рабочее напряжение 1.1 В
Количество планок 1
Буферизация Unbuffered
Коррекция ошибок (ECC) on-die ECC, non-ECC
Радиаторы Нет
Увага! Комплектація, зовнішній вигляд і характеристики товару можуть бути змінені виробником без попереднього повідомлення.Внимание! Комплектация, внешний вид и характеристики товара могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.
1 / 1